La nueva memoria de acceso aleatorio resistivo (RRAM, por sus siglas en inglés) está compuesta de circuitos integrados de 9 millonésimas partes de un metro y puede almacenar 20 veces más datos que las tarjetas de memoria flash utilizadas normalmente en cámaras y teléfonos móviles. La nueva tecnología permitirá producir memorias de 500 gigabytes en un microchip de un centímetro cuadrado, señaló Ho Chia-hua, uno de los miembros del equipo desarrollador de la nueva memoria.