El diodo Metal-Aislante-Metal (MIM, por sus siglas en inglés) se llevaba persiguiendo desde hacía décadas, pues permite reducir el silicio usado en los circuitos integrados (hasta poder prescindir de él) e incrementar así la velocidad de los mismos, reduciendo los costes. El uso de un "contacto metálico amorfo" ha resuelto el problema que previamente presentaban los diodos MIM, según se aseguran científicos e ingenieros de la Universidad Estatal de Oregón (OSU). Foto del diodo: www.flickr.com/photos/oregonstateuniversity/5123742864